Physique des semi conducteurs
Code UE : USEA0N
- Cours
- 2 crédits
Responsable(s)
Anne-Laure BILLABERT
Catherine ALGANI
Public, conditions d’accès et prérequis
Cours de physique de première année
L'avis des auditeurs
Les dernières réponses à l'enquête d'appréciation pour cet enseignement :
Objectifs pédagogiques
Il s’agit d’élargir les connaissances de physique appliquée à l’électronique et de les appliquer plus particulièrement à l’étude des composants électroniques à semi-conducteur.
Cette unité d’enseignement sert de socle fondamental à plusieurs autres unités comme les télécommunications optiques, photonique et micro-ondes et les circuits MMIC.
Cette unité d’enseignement sert de socle fondamental à plusieurs autres unités comme les télécommunications optiques, photonique et micro-ondes et les circuits MMIC.
Compétences visées
A l'issue de l'unité d'enseignement, l'apprenti est capable de suivre des unités d’enseignement spécialisées. Ainsi, il sera capable de suivre la démarche qui, par exemple, permet de déterminer les critères qu’un ingénieur de conception en électronique retiendra, pour choisir tel ou tel composant (fréquence, dimension, consommation, puissance) réalisé dans une technologie plutôt qu’une autre.
Contenu
- le semi-conducteur (dopage, niveau de Fermi …)
Travaux pratiques :
Sous forme de cours magistraux, de travaux dirigés, et de travaux pratiques de mesures et de simulation.
- la jonction p-n : diagramme de bandes d’énergie, la zone de charge d’espace, caractéristiques
- le transistor bipolaire
- les transistors à effet de champ : MESFET et MOSFET
- l’hétérojonction, propriétés, applications.
Travaux pratiques :
- Caractérisation statique d’un transistor MOS à l’aide d’un modèle numérique de simulation « grand signal » de transistor à effet de champ par une approche purement théorique – il s’agit de simuler les caractérisations et de les interpréter en fonction des paramètres physiques ou de polarisation.
- Caractérisation d’une diode à jonction PN et d’un transistor bipolaire à l’aide de la plateforme de mesures ELVIS II, intégrant toutes les fonctions de base, source dc et outils de mesure. Le pilotage de la plateforme est effectué sur un PC via une connexion USB.
Sous forme de cours magistraux, de travaux dirigés, et de travaux pratiques de mesures et de simulation.
Modalité d'évaluation
Contrôle des savoirs et des savoirs-faire à l’aide de devoirs surveillés, QCM en début de cours, comptes rendus de travaux pratiques
Cette UE apparaît dans les diplômes et certificats suivants
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- Type de diplôme
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- Modalité de l'enseignement
- Programmation semestrielle
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Intitulé de la formation |
Type |
Modalité(s) |
Lieu(x) |
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Type
Diplôme d'ingénieur
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Lieu(x)
Alternance
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Lieu(x)
Paris
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Intitulé de la formation | Type | Modalité(s) | Lieu(x) |
Contact
EPN - Secrétariat EASY
292 Rue Saint Martin 11 B2 36
75003 Paris
Tel :01 40 27 24 81
Virginie Dos Santos Rance
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Virginie Dos Santos Rance
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Enseignement non encore programmé
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