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Composants et circuits intégrés pour systèmes micro-ondes

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Responsable(s) : Mme Catherine ALGANI

  • Cours
Code Cnam : USEA3P
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  • Durée : 22 heures (+/- 10%)
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  • 2 crédits

Présentation

Objectifs

 L’objectif de cette UE est de fournir les bases de la conception de circuits intégrés analogiques utilisés dans les systèmes d’émission-réception de données numériques à très haut débit, de présenter les technologies des composants en bandes microondes et millimétriques ainsi que les types de composants actifs (MESFET, HEMT, PHEMT, MHEMT, DHBT, HBT, BJT, diode Schottky), d’aborder les applications et les systèmes de transmission de données à ultra haut débit, évoluant vers les THz. L’enseignement inclut les technologies de circuits intégrés hautes fréquences de données numériques, les composants passifs/actifs microondes et millimétriques (amplificateurs en bande étroite, en large bande, en faible bruit, en puissance, oscillateurs, mélangeurs, multiplieurs), les technologies MMIC, la CAO des circuits en hautes fréquences et en optoélectronique, la simulation d’un amplificateur très large bande dans les domaines linéaire et non-linéaire et de ses performances en transmission de signaux numériques avec  ADS ainsi que la caractérisation de non-linéarités d’un amplificateur réel à l’analyseur de spectre.

Components and integrated circuits for microwave systems

The objective of this course is to provide the fundamentals of analog integrated circuit design used in ultra-high-speed digital data transmission systems. It presents microwave and millimetre-wave component technologies and active device types (MESFET, HEMT, PHEMT, MHEMT, DHBT, HBT, BJT, Schottky diode), and addresses ultra-high-speed data transmission systems evolving toward THz frequencies. The course covers high-frequency integrated circuit technologies for digital data, passive and active microwave and millimetre-wave components (narrowband, broadband, low-noise and power amplifiers, oscillators, mixers, multipliers), MMIC technologies, CAD of high-frequency and optoelectronic circuits, simulation of a very broadband amplifier in both linear and nonlinear regimes and its performance in digital signal transmission using ADS, as well as characterisation of nonlinearities of a real amplifier using a spectrum analyser.
 

Compétences et débouchés

Parcours

Informations pratiques

Contact

Programme

Contenu

Contenu : technologies de circuits intégrés hautes fréquences de données numériques, composants passifs/actifs micro-ondes et millimétriques (amplificateurs en bande étroite, en large bande, en faible bruit, en puissance, oscillateurs, mélangeurs, multiplieurs), technologies MMIC, CAO des circuits en hautes fréquences et optoélectronique, simulation d’un amplificateur très large bande dans les domaines linéaire et non-linéaire et système avec  ADS ainsi que la caractérisation de non-linéarités d’un amplificateur réel à l’analyseur de spectre.

 

Content: High-frequency digital data integrated circuit technologies, passive / active microwave and millimeter components (narrowband, broadband, low noise, power amplifiers, oscillators, mixers, multipliers), MMIC technologies, CAD for high frequencies circuits and optoelectronics, simulation of a very broadband amplifier in the linear and nonlinear domains and at the system level with ADS as well as the characterisation of non-linearities of a real amplifier to the spectrum analyser.